BM3451 · NTC · RTRH

温度保护阈值计算器

选择 3435 / 3950 B 值 NTC，输入 RTRH 电阻，计算 BM3451 充电过温、放电过温触发点和恢复点。默认按 10K NTC @25℃。

参数

BM3451 数据手册关系：充电保护时 NTC 阻值 RNTC = RTRH / 2；放电保护对应 NTC 阻值 = 0.54 × RNTC。

计算结果

充电过温触发 CO 关断-- ℃
对应 NTC：-- kΩ；恢复约 -- ℃（迟滞 5℃）
放电过温触发 DO 关断-- ℃
对应 NTC：-- kΩ；恢复约 -- ℃（迟滞 15℃）
推荐 RTRH-- kΩ
按当前目标充电保护温度反推。

NTC 温度 / 阻值曲线与换算

基于 10kΩ @25℃ NTC 的 B 参数模型，对比 B=3435 与 B=3950。曲线纵轴为阻值 kΩ，横轴为温度 ℃。

对应阻值：-- kΩ

对应温度：-- ℃

室温以上放大曲线（25–100℃）：纵轴只显示该温区的阻值范围，更容易看出 3435 和 3950 的差异。

温度3435 / 10k3950 / 10k

RTRH 与过温阈值曲线

横轴为 RTRH（kΩ），纵轴为触发温度（℃）。四条线分别表示 3435/3950 的充电过温与放电过温阈值。

充放电温度保护的工程理解
从文档描述看，BM3451 并不是用一个独立的“充电/放电模式脚”来区分温度保护，而是结合 VIN 电流检测方向以及 VM 的充电器/负载检测状态来判断当前工作状态。放电时，放电电流增大，VIN 电压随之增大；充电过流检测则对应 VIN 进入负向阈值区域。因此工程上可粗略理解为：VIN 偏正代表放电方向，VIN 偏负代表充电方向。

但在接近 0A 或小电流条件下，采样电阻上的压降很小，例如 5mΩ 采样电阻在 100mA 时只有 0.5mV，容易接近芯片内部比较器偏移、噪声、MOS 压降和 PCB 走线误差。此时芯片未必能稳定、明确地区分“正在充电”还是“正在放电”，所以实测时小电流充电和小电流放电得到的温度阈值可能非常接近。

更稳妥的测试方法是分别监测 CO、DO、VIN、VM：充电过温主要表现为 CO 变为高阻态并关断充电 MOS；放电过温主要表现为 DO 拉低，同时 CO 也关断。若只看电池包总输出或充电器/负载是否断开，容易把 CO/DO 的不同动作混在一起。

测试建议：充电阈值测试时给明确充电电流，使 VIN 有可测负压差；放电阈值测试时给明确放电电流，使 VIN 有可测正压差。临界 0A 附近不适合作为区分充放电温保阈值的测试条件。

BM3451 文档摘录：温度保护
为了防止充放电过程中电芯温度过高给电芯带来的损坏，需要进行电芯高温保护。NTC 端子连接热敏电阻用于感应温度变化，TRH 端子连接电阻用于高温保护基准的设置。以充电过温保护为参考，假设充电过温保护时 NTC 电阻阻值 RNTC，则 TRH 选取的电阻阻值为 RTRH=2×RNTC，此时放电过温保护时对应的 NTC 阻值为 0.54×RNTC 对应的温度。可通过调节 RTRH 大小来调节充放电过温保护的温度。

例：NTC 选取 103AT-4，25℃ 为 10kΩ，设定充电保护温度为 55℃。55℃ 时 RNTC=3.5kΩ，则 RTRH=2×RNTC=7kΩ；放电过温保护对应 NTC 阻值为 0.54×RNTC=1.89kΩ，对应温度约 75℃。充电过温保护迟滞为 5℃，放电过温保护迟滞为 15℃。
计算公式
R(T)=R25×exp(B×(1/T - 1/298.15)) T=1/(1/298.15 + ln(R/R25)/B) - 273.15 充电：R = RTRH/2 放电：R = 0.54×RTRH/2

说明：这是基于 NTC B 参数模型的工程计算，实际阈值会受 NTC 精度、RTRH 精度、芯片内部比较阈值、布局热耦合影响；量产前建议实测校准。

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